深圳市福田区支持集成电路产业发展若干措施

第一条　宗旨　为落实国家、省、市关于集成电路产业发展的战略部署，进一步优化福田区集成电路上下游产业布局，谋划第三代半导体产业发展，切实抢占新一轮集成电路、第三代半导体产业发展的制高点，现根据《国家集成电路产业发展推进纲要》《深圳市关于进一步加快软件产业和集成电路设计产业发展的若干措施》（深府〔2013〕99号）等有关规定，在《深圳市福田区产业发展专项资金管理办法》、《深圳市福田区支持科技创新发展若干政策》基础上，特针对集成电路、第三代半导体产业制定如下措施。

第二条　适用对象　本措施适用于注册登记、税务关系、统计关系在福田区，具有独立法人资格、健全的财务制度、实行独立核算的集成电路类企业或机构（以下合称“企业”）。

第三条　公共技术平台及项目配套

支持各类集成电路公共技术平台建设，对承担国家级技术平台项目的企业，按国家支持金额的50%给予配套支持，每家企业配套资金总额不超过300万元。

对承担国家、省、市集成电路项目的企业，分别按国家、省、市支持金额的50%、30%、20%给予配套支持，每家企业最高配套资金总额不超过300万、100万、50万元。

第四条　支持核心技术和产品攻关　支持企业开展集成电路高端通用器件（CPU、GPU、存储器等）、第三代半导体器件（功率半导体器件等）、关键设备（光刻机、刻蚀机、离子注入机、气相沉积设备等）、核心材料（第三代半导体材料、靶材、光刻胶、感光胶等）、先进工艺（堆叠式封装等）等技术研发和产品攻关，对R&D投入50万元（含50万元）以上的企业，按R&D投入的1%，给予每家企业年度最高200万元的支持。

该条与其他产业资金政策中有关R&D投入支持可以同时申请。

第五条　支持EDA软件购买　对企业购买EDA设计工具软件（含软件升级费用）的，按照实际发生费用的50%，给予每家企业年度最高200万元的支持。

第六条　支持IP购买　对企业购买IP（来源于IP提供商、EDA供应商或者代工厂IP模块）开展芯片研发，给予IP购买实际支付费用50%的支持，每家企业年度支持最高300万元。

第七条　支持测试验证　对企业开展工程样片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的测试验证及相关认证，按实际发生费用的50%，给予每家企业年度最高200万元的支持。

第八条　支持流片

（一）对集成电路设计企业参加MPW项目，按MPW直接费用的50%，给予每家企业年度最高200万元的支持。

（二）对集成电路设计企业首次工程流片进行支持，按首次工程流片费用（含掩模版制作、流片等）的30%，给予每家企业年度最高300万元的支持。

（三）对集成电路设计企业量产产品流片进行支持，按量产产品流片费用的最高10%，给予每家企业年度最高500万元的支持。

第九条　支持重大技术装备保险补偿　对企业获得国家首台（套）重大技术装备保险补偿支持的，按照国家实际支持额度的50%给予最高500万元的配套支持。

第十条　生产性用电支持　对集成电路生产企业上一年度用电成本，按照“先交后补”的方式，给予用电费用50%的支持，每家企业年度支持最高500万元。

第十一条　特殊情形支持　对特别重大的项目，按“一事一议”方式提请福田区产业发展联席会议研究审议。

第十二条　附则　本措施自发布之日起施行，至2020年12月31日止，由福田区科技创新局负责解释。

附

措施适用对象的主营业务目录及名词解释

1．集成电路芯片设计。主要包括中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、微控制器（MCU）、存储器、数字信号处理器（DSP）、嵌入式CPU、AI芯片、通信芯片、数字电视芯片、存储模组、先进模组、多媒体芯片、信息安全和视频监控芯片、智能卡芯片、汽车电子芯片、工业控制芯片、智能电网芯片、传感器芯片、电源管理芯片、图像传感器芯片、人机交互处理芯片，功率半导体芯片、功率控制电路及半导体电力电子器件、光电混合集成电路等芯片的设计。

2．集成电路的芯片设计服务、EDA工具研发、IP产品研发。

3．集成电路芯片制造，线宽等于及小于100纳米的大规模数字集成电路制造，等于及小于0.5微米的模拟集成电路、数模混合集成电路制造。

4．集成电路芯片封装测试，系统级封装（SIP）、多芯片组件封装（MCM）、芯片级封装（CSP）、圆片级封装（WLP）、球栅阵列封装（BGA）、插针网格阵列封装（PGA）、覆晶封装（FlipChip）、硅通孔（TSV）、扇出晶圆级封装（Fan-Out）、三维封装（3D）等先进封装和测试技术的开发及产业化。

5．集成电路材料。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成电路硅片、绝缘体上硅（SOI）、化合物半导体材料（含SIC、GAN等第三代半导体材料），光刻胶、靶材、抛光液、研磨液、封装材料等。

6．集成电路设备。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成电路生产线所用的光刻机、刻蚀机、离子注入机、退火设备、单晶生长设备、薄膜生长设备、化学机械抛光设备、封装设备、测试设备等。

7．专有名词解释。

本措施中的“IP”指的是具有知识产权的、已经设计好并经过验证的、可重复利用的集成电路模块。

本措施中的“MPW”（Multi Project Wafer）是多项目晶圆，就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品。

本措施中的“流片”指的是“试生产”，像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片。